| 概要 | Sn系ペロブスカイト太陽電池の課題は、原料に用いるSn(II) 種が酸化されやすいため、不純物や格子欠陥に伴う電荷トラップが比較的多いという点であることが明らかになってきた。探索研究期間では、高品質な独自材料とその成膜技術の開発、ペロブスカイト半導体薄膜の表面修飾技術の開発などにより、Sn系ペロブスカイト太陽電池の高性能化に取り組み、世界を先導する成果をあげてきた。 本格研究では、これまでの成果と知見に基づいて、元素複合化（アロイ化）を中心とした独自の材料開発を進め、高品質なペロブスカイト半導体薄膜の成膜技術とデバイス開発を究める。これにより、Sn系ペロブスカイト太陽電池の超高性能化（>20%効率の単層デバイス、>30%効率のタンデム型デバイス）と高耐久化（>20年）の達成を目指す。
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