強誘電体/窒化物系半導体ヘテロ接合による革新的トランジスタの創成
| 体系的番号 |
JPMJAX22KH |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJAX22KH |
研究代表者 |
前田 拓也 東京大学, 大学院工学系研究科, 助教
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2022 – 2024
|
| 概要 | 近年の情報通信社会の高度発達化による情報処理量や消費電力の急増が深刻な課題となっております。本研究では、情報担体となる半導体デバイスの高性能化に向けて、近年圧電性や強誘電性を示す材料として注目を集めているScAlNをGaN高電子移動度トランジスタに組み合わせることを提案します。ScAlN薄膜やScAlN/GaNヘテロ接合の物性解明、ScAlN/GaNHEMTの実証と動作原理の解明に取り組みます。
|
|---|
| 研究領域 | リアル空間を強靭にするハードウェアの未来 |
|---|
