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強誘電体/窒化物系半導体ヘテロ接合による革新的トランジスタの創成

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 ACT-X

体系的番号 JPMJAX22KH
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJAX22KH

研究代表者

前田 拓也  東京大学, 大学院工学系研究科, 助教

研究期間 (年度) 2022 – 2024
概要近年の情報通信社会の高度発達化による情報処理量や消費電力の急増が深刻な課題となっております。本研究では、情報担体となる半導体デバイスの高性能化に向けて、近年圧電性や強誘電性を示す材料として注目を集めているScAlNをGaN高電子移動度トランジスタに組み合わせることを提案します。ScAlN薄膜やScAlN/GaNヘテロ接合の物性解明、ScAlN/GaNHEMTの実証と動作原理の解明に取り組みます。
研究領域リアル空間を強靭にするハードウェアの未来

報告書

(2件)
  • 2023 年次報告書 ( PDF )
  • 2022 年次報告書 ( PDF )

URL: 

JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2023-12-27   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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