| 体系的番号 |
JPMJTR222B |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTR222B |
| 企業責任者 |
住友電気工業株式会社
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| 研究責任者 |
重川 直輝 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2022 – 2025
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| 概要 | 次世代通信インフラを担うGaN RFデバイスの小型化、高速化による放熱の問題解決のため究極の構造であるGaN-on-ダイヤモンド構造の実用化が期待されている。しかし未だ、デバイス作製が前工程にあり、チップ化後に単結晶ダイヤモンドに接合する製造プロセスに留まっている。これでは、生産性や放熱性の点で不十分である。住友電気工業株式会社の低コスト・高品質の多結晶ダイヤモンド生産技術と大阪公立大学の直接接合技術を用いて、量産性のある4インチGaN-on-ダイヤ基板技術を開発し、次世代RFデバイス製造のデファクトとなりうる半導体基板技術を確立するものである。
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