希少金属を使わない高移動度酸化チタン薄膜トランジスタの開発

研究課題

体系的番号	JPMJTM22AG
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJTM22AG
研究代表者	廣瀬文彦山形大学, 大学院理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2022 – 2023
概要	有機ELや液晶ディスプレイのアクティブマトリクスを構成する高移動度薄膜トランジスタを資源的に豊富で枯渇の恐れがない酸化チタンで実現する。そのために、原子層レベルで高度に調整された金属酸化物複合膜パッシベーションを室温原子層堆積法で形成し、高移動度化を図る。また、低抵抗化のためのイオンドープ調整を行う。