| 体系的番号 |
JPMJMI22E4 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJMI22E4 |
研究代表者 |
長汐 晃輔 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2022 – 2026 (予定)
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| 概要 | 従来のSi半導体が直面している微細化限界を2次元材料の導入で打破し，デジタル化により効率的な社会構造を将来的に渡って継続させる「グリーンbyデジタル」の実現を目指す。現状の課題：P型の特性が低く，PNでのCMOS動作実証されていない。解決策：金属電極の実効仕事関数制御によりP型を達成する。また，成長技術開発，ドーピング技術開発，ゲートスタック特性向上，縦型FET構造開発，コンパクトモデル開発，大規模集積化にむけた最適デバイスプロセス設計を進める。効果：２次元材料の導入により１世代先に進めることで，デジタルインフラすべてで30%のCO2削減量を達成できる。
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| 研究領域 | 地球規模課題である低炭素社会の実現「「ゲームチェンジングテクノロジー」による低炭素社会の実現」 |
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