| 概要 | 2050年の未来社会で活躍する新モビリティ（超小型EV等）や新ロボット等では，脱炭素のための高効率化パワー半導体デバイスが大量に用いられると予想される。量産性・高信頼性・低コストの面から，未来社会で求められるパワー半導体材料としては，ワイドバンドギャップ半導体材料よりシリコンが圧倒的に有利であると考えられる。本研究開発では，未来社会の超小型EVや小型ロボット等のモーターの駆動に適した小型・低コストのワンチップ相補型インバータの実現に向けて，新規の高効率なシリコン系横型パワー半導体トランジスタの研究開発を行い，我が国が強みを発揮してきたパワー半導体分野をさらに強化することを目指す。
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