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深紫外LEDの実用化に向けたAlGaNヘテロ界面の原子レベル制御 (AtLv-AlGaN)

研究課題

国際的な科学技術共同研究などの推進 国際科学技術共同研究推進事業 SICORP CONCERT-Japan(SICORP)

体系的番号 JPMJSC22C1
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJSC22C1

研究代表者

寒川 義裕  九州大学, 応用力学研究所, 教授(副所長)

研究期間 (年度) 2023 – 2025
概要本研究は、コロナウィルスや細菌などのRNA、DNAの破壊、不活化に資する深紫外LEDの開発を目的とする。具体的には、(1)ポーランドと三重大学のチームが、原料原子・分子の結晶成長表面への吸着確率などの物性パラメータを解析し、(2)ブルガリアのチームが、得られた物性パラメータを実装した表面原子ステップの動的挙動を解析するデジタルツイン(現実空間のデジタル複製)を開発する。(3)九州大学のチームが、開発されたデジタルツインを活用した機械学習により原子レベルで平坦な表面/界面を得るための結晶成長条件を予測する。以上の知見を基に、(4)三重大学のチームがAlGaN有機金属気相成長により深紫外LEDを作製する。3カ国4チームによる共同研究を通して、クリーンで安全・安心な社会の実現に寄与する。
研究領域原子レベルでの材料設計

報告書

(1件)
  • 2023 年次報告書 ( PDF )

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2023-03-29   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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