ハイブリッド・チャネル相補型薄膜トランジスタ

研究課題

体系的番号	JPMJFR222J
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJFR222J
研究代表者	都甲薫筑波大学, 数理物質系, 准教授
研究期間 (年度)	2023 – 2029 (予定)
概要	超スマート社会の実現には、より高性能・多機能かつ汎用性の高いヒューマンマシン・インターフェイスの開発が不可欠です。これまでシリコン基板上に制限されてきた集積回路をプラスチックシート上に構築することができれば、軽量・薄型・フレキシブル・低コスト・低消費電力・高速動作など多くの利点をもつ新しいデバイスが実現します。本研究では、まだ世の中にない革新的な薄膜トランジスタ材料の開発に挑戦します。
研究領域	井村パネル

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