| 体系的番号 |
JPMJKB2306 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJKB2306 |
研究代表者 |
中辻 知 東京大学, 大学院理学系研究科 物理学専攻, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2023
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| 概要 | 本研究はトポロジカル反強磁性スピントロニクスの創成を通じて、ピコ秒スケールで動作しポストシリコン時代のロジック回路を担う超高速不揮発メモリのデバイス開発を行う。その心臓部のトポロジカル反強磁性体の開発とそれを用いたメモリデバイスの開発を日本側が行う。一方で、アメリカ側は米国エネルギー省が設けたトポロジカル物質の一大研究拠点であるInstitute for Quantum Matterにて、バルク単結晶と薄膜を用いたトポロジカル反強磁性体の磁気及び電子構造とそのダイナミクスの評価を行う。両国チームの若手研究者間が強く連携することで、トポロジカル反強磁性スピントロニクスの基礎から応用への一気通貫の研究を実施し、独創性と波及効果の高い研究を発信する先導的国際ネットワークを構築する。
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| 研究領域 | 世界のトップ研究者ネットワーク参画のための国際研究協力プログラム |
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