| 体系的番号 |
JPMJKB2303 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJKB2303 |
研究代表者 |
天野 浩 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2023
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| 概要 | 名大にて発見された金属Mg/GaN半導体－層間超格子（MiGs）の形成理由解明、物性評価およびデバイス応用を目的とする。名大天野チームは国際共同研究を主導、またサンプルの物性評価、デバイス加工を実施する。コーネル大学チームはプラズマ援用分子線エピタキシーによりウエハスケールでの再現を目指す。UCLAチームは分子動力学により自己組織化の動的過程を解明する。これらにより1）歪み誘起価電子帯反転による軽い正孔帯による正孔移動度の向上や結晶極性反転による分極誘起正孔ドーピング、および2）高い正孔移動度とデバイス低損失化（p型GaNへの安定したオーミック電気コンタクト）などMiGsの学術的・産業的発展が期待できる。
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| 研究領域 | 世界のトップ研究者ネットワーク参画のための国際研究協力プログラム |
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