狭ギャップ二次元材料の大面積プロセスと中赤外光デバイス応用
| 体系的番号 |
JPMJPR23H7 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR23H7 |
研究代表者 |
東垂水 直樹 カリフォルニア大学バークレー校, 電気工学・コンピュータ科学科, 特任主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2024 – 2026
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| 概要 | 中赤外光の活用は、ガスセンシングやナイトビジョンなどに応用が可能であり、防災・セキュリティ、ビルメンテナンス、自動車などの分野で需要が高まっています。本研究では、狭ギャップ二次元半導体の優れた光学特性に着目し、材料・プロセス開発、および中赤外光デバイスの高性能化を目指します。マイクロスケールでの単一デバイス動作にとどまらず、チップスケールからウェハサイズでの大面積化・集積化に挑みます。
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| 研究領域 | 新原理デバイス創成のためのナノマテリアル |
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