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狭ギャップ二次元材料の大面積プロセスと中赤外光デバイス応用

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR23H7
DOI https://doi.org/10.52926/JPMJPR23H7

研究代表者

東垂水 直樹  カリフォルニア大学バークレー校, 電気工学・コンピュータ科学科, 特任主任研究員

研究期間 (年度) 2024 – 2026
概要中赤外光の活用は、ガスセンシングやナイトビジョンなどに応用が可能であり、防災・セキュリティ、ビルメンテナンス、自動車などの分野で需要が高まっています。本研究では、狭ギャップ二次元半導体の優れた光学特性に着目し、材料・プロセス開発、および中赤外光デバイスの高性能化を目指します。マイクロスケールでの単一デバイス動作にとどまらず、チップスケールからウェハサイズでの大面積化・集積化に挑みます。
研究領域新原理デバイス創成のためのナノマテリアル

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2023-12-27   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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