| 体系的番号 |
JPMJTR23R2 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTR23R2 |
| 研究責任者 |
張 亜 東京農工大学, 大学院工学研究院 先端電気電子部門, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2023 – 2025 (予定)
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| 概要 | 我々は、GaAsが持つ圧電効果を利用して、電気的に駆動と振動読み出しができるMEMS共振器構造を用いた高速テラヘルツボロメータを開発してきた。しかし、材料の極性のために、感度が消失する周波数帯があることが大きな問題であった。一方、Si系材料を用いれば感度の消失が避けられるとともに、その大きな熱伝導率により、さらなる高速化が期待できる。また、産業的にもSiは大変望ましい。しかし、Siは圧電効果を持たないという問題がある。本研究では、Si系MEMS共振器の電気的な駆動と検出を可能にするため、圧電材料との融合やSiのピエゾ抵抗効果を利用し、Siで超広帯域・高速なMEMSボロメータの実現を目指す。
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