| 体系的番号 |
JPMJTR23R4 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTR23R4 |
| 研究責任者 |
Ｐｈａｍ Ｎａｍ Ｈａｉ 東京工業大学, 工学院 電気電子系, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2023 – 2025 (予定)
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| 概要 | 3次元磁性細線メモリは、隣あう磁区間の磁壁を移動させることにより、磁区（ビット）を空間的に移動させ、一つのリーダーとライター素子で１００～１０００ビットを読み出しと書き込みができるため、現在普及している３次元NANDフラッシュメモリを凌駕する次世代メモリである。本研究は、3次元磁性細線メモリの3次元堆積手法を確立し、3次元磁性多層膜における垂直磁気異方性を実現するとともに、その磁気異方性磁界を局所的に制御することによって、ビットシフトエラー抑制技術を確立する。さらに、スピン軌道トルク（SOT）方式による超高速かつ超電流駆動の3次元磁性細線の技術を開発する。
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