リレー用シリコンスーパージャンクションバイポーラトランジスタの開発

研究課題

体系的番号	JPMJSF23CU
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJSF23CU
研究代表者	矢野浩司山梨大学, 大学院総合研究部, 教授
研究期間 (年度)	2023 – 2024
概要	研究代表者らが既に開発した650V級、特性オン抵抗2.2mΩcm^2の超低オン抵抗を有するSiスーパージャンクション型のバイポーラトランジスタ（Si-SJBJT）を用い、世界初のヒートシンクレスソリッドステートリレー（25A、240V定格）を実現する可能性判断のための、同トランジスタのヒートシンクレス条件での通電試験を行う。