リレー用シリコンスーパージャンクションバイポーラトランジスタの開発
| 体系的番号 |
JPMJSF23CU |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJSF23CU |
研究代表者 |
矢野 浩司 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2023 – 2024
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| 概要 | 研究代表者らが既に開発した650V級、特性オン抵抗2.2mΩcm^2の超低オン抵抗を有するSiスーパージャンクション型のバイポーラトランジスタ（Si-SJBJT）を用い、世界初のヒートシンクレスソリッドステートリレー（25A、240V定格）を実現する可能性判断のための、同トランジスタのヒートシンクレス条件での通電試験を行う。
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