選択金属成膜法を用いた自己整合配線形成技術

研究課題

体系的番号	JPMJSF23C9
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJSF23C9
研究代表者	山内智茨城大学, 大学院理工学研究科（工学野）, 教授
研究期間 (年度)	2023 – 2024
概要	本課題では、面内安定化構造をとり気化する金属ハライドを原料とした、導体上へのみ金属を形成する選択化学気相堆積法を用いる。本技術は、微細加工パターン上に選択的、且つ、立体的に形成することでCMPを用いず、また、半導体集積回路の今後の微細化にも対応し得る新しい配線形成方法であり、その実現可能性を企業との連携で検証する。