超高速動作イオントロニクスの創成

研究課題

体系的番号	JPMJPR23H4
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR23H4
研究代表者	土屋敬志物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員
研究期間 (年度)	2023 – 2026
概要	本研究ではイオントロニクスデバイスの動作速度を決定する電気二重層の応答について、デバイスを構成する電解質やチャネル材料、電極の諸特性、界面、デバイス構造などに着目して飛躍的な高速化を図るとともに、高速動作を合理的に説明する新しい電気化学モデルを考案し、様々なナノマテリアルを用いて超高速動作イオントロニクスを実現するための学術基盤を構築する。
研究領域	新原理デバイス創成のためのナノマテリアル

主な研究成果
(5件)

すべて 2024

すべて雑誌論文 (5件) (査読あり 5件、オープンアクセス 5件)

[雑誌論文] Electric double layer effect in the vicinity of solid electrolyte/diamond interfaces and the application to neuromorphic computing2024
- 著者名
  Takashi Tsuchiya, Makoto Takayanagi, Daiki Nishioka, Wataru Namiki, Kazuya Terabe
- 雑誌名
  
  Journal of Solid State Electrochemistry
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] A high-performance deep reservoir computer experimentally demonstrated with ion-gating reservoirs2024
- 著者名
  Daiki Nishioka, Takashi Tsuchiya, Masataka Imura, Yasuo Koide, Tohru Higuchi, Kazuya Terabe
- 雑誌名
  
  Communications Engineering
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Iono?Magnonic Reservoir Computing With Chaotic Spin Wave Interference Manipulated by Ion‐Gating2024
- 著者名
  Wataru Namiki, Daiki Nishioka, Yuki Nomura, Takashi Tsuchiya, Kazuo Yamamoto, Kazuya Terabe
- 雑誌名
  
  Advanced Science
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Physical Reservoir Computing Utilizing Ion-Gating Transistors Operating in Electric Double Layer and Redox Mechanisms2024
- 著者名
  Takashi Tsuchiya, Daiki Nishioka, Wataru Namiki, Kazuya Terabe
- 雑誌名
  
  Advanced Electronic Materials
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Physical reservoir computing with graphene-based solid electric double layer transistor and the information processing capacity analysis2024
- 著者名
  Hina Kitano, Daiki Nishioka, Kazuya Terabe, Takashi Tsuchiya
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
- 査読あり / オープンアクセス

超高速動作イオントロニクスの創成

研究代表者

土屋 敬志 物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員

主な研究成果

[雑誌論文] Electric double layer effect in the vicinity of solid electrolyte/diamond interfaces and the application to neuromorphic computing2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] A high-performance deep reservoir computer experimentally demonstrated with ion-gating reservoirs2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Iono?Magnonic Reservoir Computing With Chaotic Spin Wave Interference Manipulated by Ion‐Gating2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Physical Reservoir Computing Utilizing Ion-Gating Transistors Operating in Electric Double Layer and Redox Mechanisms2024

著者名

雑誌名

[雑誌論文] Physical reservoir computing with graphene-based solid electric double layer transistor and the information processing capacity analysis2024

著者名

雑誌名

土屋敬志物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 主幹研究員