| 体系的番号 |
JPMJPR23H1 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJPR23H1 |
研究代表者 |
川那子 高暢 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2023 – 2026
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| 概要 | 本研究では、二セレン化タングステン(WSe2)を用いた超低電圧動作CMOS集積回路の基盤技術を確立します。特にWSe2チャネルを上下のゲートスタックで挟み込んだダブルゲート動作、ノンドープWSe2チャネルによるn/p FETsの実現及び独自の自己整合プロセスによる超低電圧WSe2 CMOSデバイスを実現します。そしてチップレベルの超低電圧動作WSe2 CMOS集積回路への応用展開を目指します。
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| 研究領域 | 新原理デバイス創成のためのナノマテリアル |
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