フォノンエンジニアリングに立脚した3DIC放熱技術開発

研究課題

体系的番号	JPMJAN23E3
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJAN23E3
研究代表者	野村政宏東京大学, 生産技術研究所, 教授
研究期間 (年度)	2023 – 2026
概要	三次元集積回路（3DIC）からの高効率な抜熱を実現するために、フォノンエンジニアリングはどう貢献できるのか？という問いに答え、有効性を実証する。フォノン輸送の観点に立脚した設計とプロセスインテグレーションを考慮した現実的かつ即効性のあるアプローチでSiO2を高熱伝導率AlNに代替して放熱を促進し、３DICの省エネ化を支援して１億t-CO2e規模での削減を狙う。物理、材料、デバイス構造、システムを一貫したチーム構成が強みである。
研究領域	半導体

報告書

(3件)

主な研究成果
(5件)

すべて 2024

すべて雑誌論文 (5件) (国際共著 2件、査読あり 5件、オープンアクセス 5件)

[雑誌論文] Heavy Ge Doping in GaN via Pulsed Sputtering to Tailor the Optical Bandgap Energy2024
- 著者名
  Aiko Naito, Kohei Ueno, and Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Physica Status Solidi A
  
  ページ: 2300990
- DOI
  10.1002/pssa.202300990
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Pulsed Sputtering Epitaxy of Coherent AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN Multichannel Structures2024
- 著者名
  Takao Kozaka, Ryota Maeda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
  
  巻: 18 号: 11 ページ: 2400142
- DOI
  10.1002/pssr.202400142
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] A graphite thermal Tesla valve driven by hydrodynamic phonon transport2024
- 著者名
  X. Huang, R. Anufriev, L. Jalabert, K. Watanabe, T. Taniguchi, Y. Guo, Y. Ni, S. Volz, and M. Nomura
- 雑誌名
  
  Nature
  
  号: 634 ページ: 1086-1090
- DOI
  10.1038/s41586-024-08052-1
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
[雑誌論文] Des phonons a sens unique2024
- 著者名
  X. Huang et al.
- 雑誌名
  
  Pour la Science
  
  巻: 567 ページ: 14
- DOI
  10.3917/pls.567.0014
- 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
[雑誌論文] Fundamental properties of heavily Ge-doped AlGaN prepared via pulsed sputtering2024
- 著者名
  Aiko Naito, Kohei Ueno, and Hiroshi Fujioka
- 雑誌名
  
  Phys. Status Solidi B
  
  ページ: 2500037
- DOI
  10.1002/pssb.202500037
- 査読あり / オープンアクセス

フォノンエンジニアリングに立脚した3DIC放熱技術開発

研究代表者

野村 政宏 東京大学, 生産技術研究所, 教授

報告書

主な研究成果

[雑誌論文] Heavy Ge Doping in GaN via Pulsed Sputtering to Tailor the Optical Bandgap Energy2024

著者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Pulsed Sputtering Epitaxy of Coherent AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN Multichannel Structures2024

著者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] A graphite thermal Tesla valve driven by hydrodynamic phonon transport2024

著者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Des phonons a sens unique2024

著者名

雑誌名

DOI

[雑誌論文] Fundamental properties of heavily Ge-doped AlGaN prepared via pulsed sputtering2024

著者名

雑誌名

DOI

野村政宏東京大学, 生産技術研究所, 教授