トポロジカル物質に基づく革新的量子エレクトロニクスの創成

研究課題

体系的番号	JPMJAP2317
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJAP2317
研究代表者	中辻知東京大学, 大学院理学系研究科（理学部）, 教授
研究期間 (年度)	2023 – 2028
概要	トポロジカル反強磁性体（TAF）は、高速かつ低消費電力な制御を可能とすることから次世代メモリ材料として大きく注目されている。本研究はその典型例Mn3Snを含むTAFの多層膜を作製し、トポロジカル状態の電流制御により、超高速低消費電力不揮発性メモリを開発する。日本側チームは心臓部のTAFの開発、及びメモリ素子の開発を行い、相手側チームはTAFの磁気及び電子構造とそのダイナミクスの評価、及びメモリ素子のウエハ上での構築を行う。両国チームの強みを生かした研究を通して基礎研究での優位性を確保しつつ、今後、急速な進展が予想される応用研究でも優位なポジションを得ることが期待される。また、頭脳循環の促進のため助教あるいは准教授になる頃まで海外に派遣する移籍型渡航を通して若手育成プラットフォームを構築する。
研究領域	量子

報告書

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