金属マグネシウム層とGaN層の超格子構造(MiGs)の物性とデバイス応用およびウルトラワイドバンドギャップ半導体材料(AlN, Ga2O3等)への超高濃度ドーピング
| 体系的番号 |
JPMJAP2311 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJAP2311 |
研究代表者 |
天野 浩 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2023 – 2028
|
| 概要 | 名大にて発見されたMg金属/GaN半導体層間超格子（MiGs）の形成理由解明、物性評価、デバイス応用を主目的とする。名大チームが国際共同研究を主導し、物性評価、デバイス作製、AlNへの超高濃度ドーピングを目指す。コーネル大学チームはプラズマ援用分子線エピタキシーによりウエハスケールで再現、UCLAチームは自己組織化の動的過程の解明及び量子物理学的側面を探求、メリーランド大学チームは熱伝導異方性の解明、スタンフォード大学チームは、Ga2O3へのMgの超高濃度ドーピングとデバイス応用を目指す。これらにより1）歪み誘起価電子帯反転による軽い正孔帯による正孔移動度の向上や結晶極性反転による分極誘起正孔ドーピング、および2）高効率パワーデバイスや深紫外光源などMiGsの学術的・産業的発展が期待される。
|
|---|
| 研究領域 | マテリアル |
|---|
