準一次元ｖｄＷ相変化材料とその電子デバイスへの展開

研究課題

体系的番号	JPMJFR235T
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJFR235T
研究代表者	双逸東北大学, 大学院工学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2024 – 2031 (予定)
概要	本研究では、世界に先駆けて、大きな電気抵抗変化を示す新規準一次元ファンデルワールス（1D-vdW）相変化材料（PCM):NbTe4を提案し、その相変化原理と動作性能を究明し、相変化メモリデバイス微細化の限界の突破を目指します。NbTe4系メモリの相変化原理の解明により、従来の3D及び2Dを主役とする相変化材料を更なる低次元領域まで展開し、デバイス構造に活かすために必要な基盤技術の確立に挑戦する他、優れた微細化性能の1D-PCM材料群を創成します。
研究領域	古原パネル

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