新奇窒化物半導体ヘテロ接合による二次元電子の制御とデバイス応用

研究課題

体系的番号	JPMJFR234D
研究代表者	前田拓也東京大学, 大学院工学系研究科, 講師
研究期間 (年度)	2024 – 2030
概要	新しい窒化物機能性材料と窒化物半導体の融合によって、高周波・高出力用途で用いられる電子デバイスの高性能化と新機能化に取り組みます。高い分極効果や強誘電性を有する窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)に注目し、分子線エピタキシーによる結晶成長技術の確立および界面電子輸送特性の理解と制御、電子デバイス試作に基づき革新的な高電子移動度トランジスタの実証と動作原理の理解を目指します。
研究領域	塩見（淳）パネル