超高耐圧パワーデバイス用SiC エピタキシャル層成長技術の開発
| 体系的番号 |
JPMJAN24E1 |
研究代表者 |
宇治原 徹 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2024 – 2027
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| 概要 | 再生可能エネルギーを世界で有効活用するためには直流送電網の普及が必須である。本研究では、その普及のキーデバイスとなる高効率低コスト超高耐圧SiCパワーデバイスに必須な結晶成長技術を確立する。具体的には、超高耐圧SiCパワーデバイスの基礎構造となる厚膜エピタキシャル層／p型ウェハ構造の新規結晶成長技術の開発、マルチモーダル物性特性評価法によるデバイス性能評価、本技術で作製した構造を用いたデバイスの作製を行う。
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| 研究領域 | 半導体 |
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