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超高耐圧パワーデバイス用SiC エピタキシャル層成長技術の開発

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 ALCA-Next

体系的番号 JPMJAN24E1

研究代表者

宇治原 徹  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授

研究期間 (年度) 2024 – 2027
概要再生可能エネルギーを世界で有効活用するためには直流送電網の普及が必須である。本研究では、その普及のキーデバイスとなる高効率低コスト超高耐圧SiCパワーデバイスに必須な結晶成長技術を確立する。具体的には、超高耐圧SiCパワーデバイスの基礎構造となる厚膜エピタキシャル層/p型ウェハ構造の新規結晶成長技術の開発、マルチモーダル物性特性評価法によるデバイス性能評価、本技術で作製した構造を用いたデバイスの作製を行う。
研究領域半導体

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2024-12-19   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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