| 体系的番号 |
JPMJPR24H4 |
研究代表者 |
島崎 佑也 東京大学, 大学院工学系研究科, 特任准教授
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2024 – 2027
|
| 概要 | 本研究では半導体遷移金属ダイカルコゲナイドからなるヘテロ構造において、閉じ込めの強いモアレポテンシャルと弱いゲート電極によるポテンシャルの組み合わせにより、均一性の高い少数電子状態を実現する。特にトリオン発光や励起、量子光学測定を利用することで光学的な単一電子状態の検出を試みる。またゲート電極による制御により、少数電子から構成される様々なモアレ分子を実現する。
|
|---|
| 研究領域 | 新原理デバイス創成のためのナノマテリアル |
|---|
