超薄膜トポロジカル反強磁性体ナノデバイスの機能性開拓
| 体系的番号 |
JPMJPR24H6 |
研究代表者 |
竹内 祐太朗 物質・材料研究機構, 若手国際研究センター, ICYSリサーチフェロー
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| 研究期間 (年度) |
2024 – 2027
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| 概要 | 近年のトポロジカル反強磁性体における様々な量子物性の発見によって、反強磁性体をコア材料に用いたデバイス研究が加速しています。本研究では、電流によるトポロジカル反強磁性体のスピン回転という新規現象をナノスケール素子において能動的に活用します。超高速スピン制御や従来とは質的に異なる発振効果を実証することで、新しい原理による高機能不揮発性メモリや次世代高速通信の実現に向けたコア技術の創出を目指します。
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| 研究領域 | 新原理デバイス創成のためのナノマテリアル |
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