３次元集積CFETに向けた次世代材料素子技術基盤の構築
| 体系的番号 |
JPMJPR24H2 |
研究代表者 |
柯 夢南 千葉大学, 大学院工学研究院, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2024 – 2027
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| 概要 | 新チャネル材料CFETの実現に向けた、Geや二次元材料半導体及びその積層構造を用いた３次元集積CMOSを開発し、高品質GeとMoS2 MOS界面形成技術、トランスファー法による積層MoS2チャネル形成技術、３次元的に直接連接できる低抵抗SDコンタクト形成技術など、世界初となるGe pFETとMoS2 nFETを用いる３次元集積CMOSの設計および開発を成功させ、その最適構造やプロセスを明確にする。
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| 研究領域 | 新原理デバイス創成のためのナノマテリアル |
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