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3次元集積CFETに向けた次世代材料素子技術基盤の構築

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR24H2

研究代表者

柯 夢南  千葉大学, 大学院工学研究院, 助教

研究期間 (年度) 2024 – 2027
概要新チャネル材料CFETの実現に向けた、Geや二次元材料半導体及びその積層構造を用いた3次元集積CMOSを開発し、高品質GeとMoS2 MOS界面形成技術、トランスファー法による積層MoS2チャネル形成技術、3次元的に直接連接できる低抵抗SDコンタクト形成技術など、世界初となるGe pFETとMoS2 nFETを用いる3次元集積CMOSの設計および開発を成功させ、その最適構造やプロセスを明確にする。
研究領域新原理デバイス創成のためのナノマテリアル

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2024-12-19   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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