二次元強誘電体の自発分極制御とメモリデバイス応用

研究課題

体系的番号	JPMJPR24H3
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJPR24H3
研究代表者	菅大介京都大学, 化学研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2024 – 2027
概要	二次元強誘電体は、結晶格子1-２個程度の厚さ（約1ナノメートル）にまで極薄化しても自発分極を維持できるナノマテリアルです。本研究では、二次元強誘電体メンブレン結晶の材料技術を発展させ、ツイスト積層など、これまでの強誘電材料の研究では活用できなかったアプローチをも駆使して、自発分極制御により優れた特性を持つ二次元強誘電体を実現し、超低消費電力メモリデバイス開発に挑戦します。
研究領域	新原理デバイス創成のためのナノマテリアル

主な研究成果