| 体系的番号 |
JPMJPR24H3 |
研究代表者 |
菅 大介 京都大学, 化学研究所, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2024 – 2027
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| 概要 | 二次元強誘電体は、結晶格子1-２個程度の厚さ（約1ナノメートル）にまで極薄化しても自発分極を維持できるナノマテリアルです。本研究では、二次元強誘電体メンブレン結晶の材料技術を発展させ、ツイスト積層など、これまでの強誘電材料の研究では活用できなかったアプローチをも駆使して、自発分極制御により優れた特性を持つ二次元強誘電体を実現し、超低消費電力メモリデバイス開発に挑戦します。
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| 研究領域 | 新原理デバイス創成のためのナノマテリアル |
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