| 体系的番号 |
JPMJPR24H1 |
研究代表者 |
井ノ上 泰輝 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2024 – 2027
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| 概要 | 次世代の半導体デバイス材料として、グラフェン、六方晶窒化ホウ素、遷移金属ダイカルコゲナイドなどの原子層物質が期待されています。本研究では、原子層物質の化学気相成長において、ヘテロ層成長、成長・エッチング速度制御、核生成制御等の物質合成技術を高度化し、従来の半導体プロセスと融合することで、原子層デバイスの新たな作製方針の確立を目指します。
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| 研究領域 | 新原理デバイス創成のためのナノマテリアル |
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