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化学気相成長に基づく原子層デバイスの構築

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 さきがけ

体系的番号 JPMJPR24H1

研究代表者

井ノ上 泰輝  大阪大学, 大学院工学研究科, 助教

研究期間 (年度) 2024 – 2027
概要次世代の半導体デバイス材料として、グラフェン、六方晶窒化ホウ素、遷移金属ダイカルコゲナイドなどの原子層物質が期待されています。本研究では、原子層物質の化学気相成長において、ヘテロ層成長、成長・エッチング速度制御、核生成制御等の物質合成技術を高度化し、従来の半導体プロセスと融合することで、原子層デバイスの新たな作製方針の確立を目指します。
研究領域新原理デバイス創成のためのナノマテリアル

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2024-12-19   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

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