| 体系的番号 |
JPMJTR24T4 |
| 研究責任者 |
上原 雅人 産業技術総合研究所, センシングシステム研究センター, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2024 – 2026 (予定)
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| 概要 | 我々はGaNにScを添加したScGaNが強誘電性を示すことを世界に先駆けて見出した。その残留分極値は不揮発性メモリの開発が進んでいるHfO2系の5倍以上で、強誘電体の中で最高レベルである。また、外力や熱などの耐環境性にも優れている。我々は課題だった高い抗電界もHfO2系レベルに低減させることに成功した。本研究では、最も優れた強誘電メモリ材料と言えるScGaNについて、極薄化や電極層の技術開発に取組み、ScGaNのデバイス化の課題を解決し、IoTの社会実装による情報量とその消費電力の爆発的増加に対応する不揮発性メモリの実現を目指す。また、将来の量産技術の確立を見据え、企業との連携も図る。
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