新規準安定磁性合金を用いたナノスケール不揮発性磁気抵抗メモリ素子の開発
| 体系的番号 |
JPMJTR24T5 |
| DOI |
https://doi.org/10.52926/JPMJTR24T5 |
| 研究責任者 |
水上 成美 東北大学, 材料科学高等研究所, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2024 – 2026 (予定)
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| 概要 | 携帯端末、ブロードバンド、クラウド、さらには生成AIなど、急速なITの発展により社会を取りまく情報量は指数関数的に増大しつつある。それらITのインフラである半導体技術の持続的発展にはいわゆる電源を切っても記憶の消えない不揮発性メモリの持続的な開発と供給も必須である。本課題では、独自の技術シーズである新規準安定磁性合金を用いて、半導体チップに使用されるナノスケール不揮発性磁気抵抗メモリ用の素子の抱える課題を解決するイノベーションを創出する。
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