酸化物半導体の低温固相結晶化技術による高速・低消費電力デバイスの開発

研究課題

体系的番号	JPMJTR24R4
研究責任者	曲勇作北海道大学, 電子科学研究所, 助教
研究期間 (年度)	2024 – 2026 (予定)
概要	次世代ディスプレイ・LSI・メモリーデバイスにおいて、低温プロセス（～400℃）で形成可能かつ高移動度（μFE～100cm2V−1s−1）な酸化物薄膜トランジスタ（TFT）が求められている。研究責任者は、水素化酸化インジウム薄膜（In2O3:H）の低温固相結晶化技術を見出した。本研究では、この技術を基盤として、In2O3:H薄膜の固相成長メカニズム・界面構造・電子物性などを解明し、これらの制御技術を確立することで多結晶酸化物半導体薄膜における基礎学理の構築を目指す。さらに、多結晶In2O3:HTFTにおけるIn2O3:H/絶縁膜界面の結晶構造および電子状態を詳細に解析し、高移動度・高信頼性酸化物TFTの実現に向けた基盤技術を確立する。