| 体系的番号 |
JPMJTR241A |
| 研究責任者 |
井上 史大 横浜国立大学, 総合学術高等研究院, 准教授
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| 主たる共同研究者 |
株式会社ディスコ
株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ
株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
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| 研究期間 (年度) |
2024 – 2028 (予定)
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| 概要 | デジタル社会の基盤技術であるAI半導体の高エネルギー効率化が急務となっており、半導体の前工程と後工程の融合による「3D集積技術」が革新的解決策とされている。半導体チップ上の電源電圧降下を効果的に抑制可能な裏面電源供給ネットワーク（BSPDN）はその代表的アーキテクチャであるが、歩留まりと放熱に課題を抱えており、設計、集積、プロセスに係る各基盤技術のシステム・製造協調最適化による解決が求められている。本研究開発では、3D集積関連の技術シーズをベースに半導体製造装置企業と連携して前工程/後工程の融合エコシステム型共同研究開発体制を構築し、革新的な解決策の提案と実用化を目指す。
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