| 体系的番号 |
JPMJBY24C3 |
研究代表者 |
草場 彰 名古屋大学, 未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター未来デバイス部, 特任准教授
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2030 (予定)
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| 概要 | 結晶成長は半導体製造の基盤技術であり、新材料の開発にはその物理・化学過程をシミュレーションするデジタルツインが有用です。AIによる新材料発見の急増により、人手でのデジタルツイン構築には限界が生じると予想されます。本研究では、結晶成長デジタルツインの自動構築技術の開発と、AIによる材料設計と結晶成長のプロセス設計を調和させるMI-PI統合アプローチの開発に取り組み、ポストシリコン半導体開発への応用を展開します。
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