1. 前のページに戻る

パワーエレクトロニクス応用におけるSiC半導体素子の革新

研究課題

戦略的な研究開発の推進 戦略的創造研究推進事業 ALCA-Next

体系的番号 JPMJAN24E5

研究代表者

木本 恒暢  京都大学, 大学院工学研究科, 教授

研究期間 (年度) 2024 – 2027
概要SiCは高耐圧・低損失パワー半導体として有望である。SiCパワーMOSFETの実用化が始まったが、その性能は本来のポテンシャルから大きく乖離している。その要因は酸化膜/SiC界面欠陥に由来する低いチャネル移動度にある。本研究では、1) 計算科学および界面分析を通じた界面欠陥の解明、2) 独自プロセスによる移動度向上、3) フィンチャネルを活用した高移動度化に、日英のグループが取り組み、ゲームチェンジを起こす高性能SiC MOSFETの実現を目指す。
研究領域半導体

URL: 

JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2024-12-19   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2025-03-26  

サービス概要 よくある質問 利用規約

Powered by NII jst