パワーエレクトロニクス応用におけるSiC半導体素子の革新

研究課題

戦略的な研究開発の推進戦略的創造研究推進事業 ALCA-Next

体系的番号	JPMJAN24E5
DOI	https://doi.org/10.52926/JPMJAN24E5
研究代表者	木本恒暢京都大学, 大学院工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2024 – 2027
概要	SiCは高耐圧・低損失パワー半導体として有望である。SiCパワーMOSFETの実用化が始まったが、その性能は本来のポテンシャルから大きく乖離している。その要因は酸化膜/SiC界面欠陥に由来する低いチャネル移動度にある。本研究では、1) 計算科学および界面分析を通じた界面欠陥の解明、2) 独自プロセスによる移動度向上、3) フィンチャネルを活用した高移動度化に、日英のグループが取り組み、ゲームチェンジを起こす高性能SiC MOSFETの実現を目指す。
研究領域	半導体

報告書

(2件)

2025 年次報告書 ( PDF )
2024 年次報告書 ( PDF )

主な研究成果
(3件)

すべて雑誌論文 (3件) (査読あり 3件、オープンアクセス 3件)

[雑誌論文] Unique electron trapping and its impacts on electron mobility in SiC n-channel MOSFETs2024
- 著者名
  X. Chi, K. Ito, T. Suto, A. Shima, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Technical Digest of 70th IEEE International Electron Devices Meeting
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Doping-dependent fixed charges in SiC/SiO2 structure2024
- 著者名
  K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto
- 雑誌名
  
  Applied Physics Express
  
  巻: 18 号: 3 ページ: 034002
- DOI
  10.35848/1882-0786/adb539
- 査読あり / オープンアクセス
[雑誌論文] Fundamentals and Future Challenges of SiC Power Devices2024
- 著者名
  T. Kimoto, R. Ishikawa, K. Tachiki, X. Chi, K. Mikami, and M. Kaneko
- 雑誌名
  
  Proceedings of 9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2025
- 査読あり / オープンアクセス