パワーエレクトロニクス応用におけるSiC半導体素子の革新
| 体系的番号 |
JPMJAN24E5 |
研究代表者 |
木本 恒暢 京都大学, 大学院工学研究科, 教授
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2024 – 2027
|
| 概要 | SiCは高耐圧・低損失パワー半導体として有望である。SiCパワーMOSFETの実用化が始まったが、その性能は本来のポテンシャルから大きく乖離している。その要因は酸化膜/SiC界面欠陥に由来する低いチャネル移動度にある。本研究では、1) 計算科学および界面分析を通じた界面欠陥の解明、2) 独自プロセスによる移動度向上、3) フィンチャネルを活用した高移動度化に、日英のグループが取り組み、ゲームチェンジを起こす高性能SiC MOSFETの実現を目指す。
|
|---|
| 研究領域 | 半導体 |
|---|
