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NV量子スピントロニクスデバイスの創出

研究課題

戦略的な研究開発の推進 創発的研究支援事業

体系的番号 JPMJFR244B

研究代表者

森下 弘樹  東北大学, 先端スピントロニクス研究開発センター, 准教授

研究期間 (年度) 2025 – 2032 (予定)
概要量子デバイスは、既存のエレクトロニクスを用いて制御および検出されています。したがって、既存エレクトロニクス技術と量子技術を組み合わせることは、高性能量子デバイスの実現に必要不可欠な技術となります。そこで本研究では、室温下で動作可能なダイヤモンド中の単一NV量子スピンの電気的な制御・検出技術と、スピントロニクス技術を組み合わせたNV量子スピントロニクスデバイスの創出を目指します。
研究領域塩見(淳)パネル

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2026-01-14   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2026-01-15  

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