低温固相結晶化技術による酸化物エレクトロニクスの創成

研究課題

体系的番号	JPMJFR245Z
研究代表者	曲勇作高知工科大学, 理工学群, 講師
研究期間 (年度)	2025 – 2032 (予定)
概要	本研究の目的は、高移動度・高信頼性の酸化物半導体薄膜トランジスタ（TFT）の創出です。近年、低温（～400℃）で形成可能な酸化物TFT は、次世代ディスプレイやメモリー分野で注目されています。私は、水素添加In2O3（In2O3:H）薄膜の固相結晶化技術を開発し、電界効果移動度140cm2V-1s-1を達成しました。本研究では、異常粒成長や高移動度の起源、水素の役割を解明し、デバイス信頼性の制御技術を確立して、多結晶Si TFTを超える酸化物TFTを実現します。
研究領域	古原パネル