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遷移金属酸化物テンプレートによる原子層半導体の革新的合成法

研究課題

戦略的な研究開発の推進 創発的研究支援事業

体系的番号 JPMJFR245U

研究代表者

鈴木 弘朗  岡山大学, 学術研究院環境生命自然科学学域, 研究准教授

研究期間 (年度) 2025 – 2032 (予定)
概要遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は、その厚みが約0.7nmの単層においても良好な半導体特性を示すことから、次世代半導体集積回路におけるトランジスタの材料として期待されています。一方で、単層TMDCの集積回路作製に適した合成方法は未確立です。本研究では、遷移金属酸化物の表面をテンプレートとして、任意構造・配列をもつTMDCを単層選択的に集積化合成する革新的ナノテクノロジーを創発します。
研究領域古原パネル

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JSTプロジェクトデータベース掲載開始日: 2026-01-14   JSTプロジェクトデータベース最終更新日: 2026-01-15  

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