エネルギーおよびセンシングデバイスのための次世代半導体薄膜技術の総合的開発
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JPMJNX25D3 |
研究代表者 |
中村 雅一 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2028
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| 概要 | 本研究は、材料・デバイス・チップの各階層において、それぞれのチームが保有するさまざまな材料に関する知識や設計・解析手法を組み合わせ、エネルギーおよびセンシング分野における新奇薄膜半導体デバイスの創出を目指すものである。
具体的には、日本側は低コストフレキシブル熱電変換素子の開発、フレキシブル光電・熱電変換複合モジュールの創出、薄膜トランジスタ型化学センサーの開発とそのマイクロ流路への統合を主導し、ベトナム側は耐久性の高いペロブスカイト太陽電池の開発、マイクロ流路化学センシングチップの開発を主導する。
両国のチームによる共同研究を通して、複数種の新奇薄膜半導体デバイスを創出するとともに、材料開発から半導体設計までの総合的かつ永続的な開発基盤の構築を目指す。
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| 研究領域 | 日本－ベトナム「半導体」 |
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