理論解析と実験的アプローチによる先進窒化物半導体HEMT材料エンジニアリング
| 体系的番号 |
JPMJNX25D1 |
研究代表者 |
荒木 努 立命館大学, 電気電子工学科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2028
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| 概要 | 本研究は、ワイドバンドギャップ半導体である窒化物半導体を基盤とする高電子移動度トランジスタ（HEMT）技術の発展とHEMT材料を応用した高感度バイオセンサーの創製を目的とする。
具体的には、日本側は半導体の材料品質向上、デバイスプロセス開発、大面積ウエハー適用に取り組み、ベトナム側は先端計算手法とプロセス技術を活用し、電子移動度の向上、欠陥密度低減、効率向上に取り組む。
両国のチームによる共同研究を通して、次世代通信インフラ、自動車用パワーエレクトロニクス、無線電力伝送、バイオメディカルセンシング、省エネ型パワーエレクトロニクスへの応用基盤の確立に加え、窒化物半導体デバイス技術を元にした日ベトナム間学術・産業連携の強化と長期的な協力関係の構築を目指す。
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| 研究領域 | 日本－ベトナム「半導体」 |
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