シリコン薄膜トランジスタによるCFETデバイスの研究
| 体系的番号 |
JPMJNX25D2 |
研究代表者 |
黒木 伸一郎 広島大学, 半導体産業技術研究所, 教授・副所長
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2028
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| 概要 | 本研究は、高移動度シリコン薄膜トランジスタを微細化・3次元デバイス化することで、相補型電界効果トランジスタ（CFET）デバイスの実現を目指すものである。
具体的には、日本側は微細化および3次元スタック構造を持つ薄膜トランジスタの研究を行い、ベトナム側はレーザー結晶化による面方位制御多結晶シリコン薄膜の研究を行う。これらにより、高移動度シリコン薄膜トランジスタを用いたCFETデバイスの設計・試作・評価を行う。デバイス試作は日本側のスーパークリーンルームCMOS集積回路試作ラインで行う。
両国のチームによる共同研究を通して、最先端半導体技術の研究開発を推進し、設計・試作・評価といった一貫した半導体研究開発を通じた若手研究者の育成と、CFETなどの次世代デバイス技術の基盤構築を目指す。
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| 研究領域 | 日本－ベトナム「半導体」 |
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