高性能パワーシステム向けエネルギー管理チップのためのワイドバンドギャップ半導体材料およびデバイスの研究
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JPMJNX25D5 |
研究代表者 |
レ デゥック アイン 東京大学, 大学院工学系研究科, 准教授
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2028
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| 概要 | 本研究は、次世代パワー・高性能デバイスの実現を目指し、窒化ガリウム（GaN）、β型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）、チタン酸ストロンチウム（SrTiO₃）およびそれらのヘテロ構造の開発を進めるものである。
具体的には、日本側とベトナム側の密接な連携により、分子線エピタキシー（MBE）などの最先端結晶成長技術を活用して材料品質の向上を図るとともに、スパッタリングなどの汎用的技術を用いて低コスト化を推進する。さらに、高耐圧ダイオード、高電子移動度トランジスタ（HEMT）、フレキシブルデバイスの開発を通じて、省エネルギー型直流－直流（DC-DC）コンバーターや高性能電子デバイスへの応用を展開する。
両国のチームによる共同研究を通して、次世代エレクトロニクスにおける材料革新と人材育成を実現することを目指す。
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| 研究領域 | 日本－ベトナム「半導体」 |
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