| 体系的番号 |
JPMJTR25T3 |
| 研究責任者 |
磯上 慎二 物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究センター, 主幹研究員
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2027 (予定)
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| 概要 | 金属と同等の電気伝導性を示す新しい二次元物質MXene（マキシン相）をスパッタリング法で高品位合成する技術を確立し、これをスピン流チャネル層とした二次元スピン流型磁気メモリ（SOT-MRAM）の実証が可能となった。書込み動作にバイアス磁場が不要となったことに加え、結晶方位に対する面内電流方位を選ばないという、二次元物質に本質的な弱点を補償する実用向きのシーズを得た。本研究では社会実装前の課題ともいえる読み書き信頼性の向上と高集積化を目指すため、①スピン流の面直／面内成分の制御による書込み電流マージンの拡大とばらつき低減、②スピンチャネル層上に作製する111面配向強磁性トンネル接合素子の高出力化を行う。
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