価数制御を動作原理とした極低消費電力型不揮発性メモリ技術の創出
| 体系的番号 |
JPMJAN25E3 |
研究代表者 |
畑山 祥吾 産業技術総合研究所, 先端半導体研究センター, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2026
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| 概要 | 研究開発代表者らが新たに見出した価数制御による抵抗変化現象は、既存ストレージと比べて1/10000という極低消費電力動作を実現し得る不揮発性記録原理としての可能性を秘める。本研究では、この原理を用いた不揮発性メモリの省電力性評価に向け、デバイスおよび測定に関する要素技術を確立し、それらを活用してデバイスの省電力性能を定量評価すると共に、通常のALCA-Nextに向けた研究基盤の構築を目指す。
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| 研究領域 | 半導体 |
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