二次元層状物質によるサブバンドエレクトロニクスの開拓
| 体系的番号 |
JPMJPR25H1 |
研究代表者 |
木下 圭 東京大学, 生産技術研究所, 助教
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2028
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| 概要 | 半導体二次元層状物質の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）は、数層になると積層方向の量子閉じ込めが生じ、サブバンド構造を形成します。本研究ではこの特性に着目し、数層TMDを含むファンデルワールス積層デバイスの動作実証を通じて、サブバンドエレクトロニクスを開拓します。サブバンド間共鳴トンネルによる高周波発振、サブバンド間遷移による光応答検出に挑戦し、次世代の量子井戸デバイスの創成を目指します。
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| 研究領域 | 新原理デバイス創成のためのナノマテリアル |
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