埋もれた半導体ウェハー溶液界面のその場観察を可能にする赤外－赤外位相敏感和周波発生分光法の開発

研究課題

体系的番号	JPMJTR25RG
研究責任者	二本柳聡史理化学研究所, 開拓研究所, 専任研究員
研究期間 (年度)	2025 – 2027 (予定)
概要	我々が開発したヘテロダイン検出振動和周波発生分光法はナノメートル以下の薄い界面領域のその場観察が可能であり、半導体等産業的に重要な材料界面への応用展開が期待されている。しかしながら、現在の装置には様々な制約があり半導体/溶液界面に直接適用することは困難である。この問題を解決するために近赤外光と中赤外光を入射して近赤外領域の和周波光を検出する赤外-赤外和周波発生分光法を開発する。さらに、これまでのヘテロダイン検出法と根本的に異なる新しい干渉検出機構を開発・導入し検出効率を大幅に向上させる。これによって半導体の製造プロセスに直接関わるシリコンをはじめとする半導体／溶液界面のその場観察を可能にする。