| 概要 | 申請者が開発した新規バッファー層を用いてSiウェハ上に縦型構造のGaN系LED作製技術を開発する。本研究で用いるバッファー層は、以下の三つの利点を有する。①Si(111)ウェハ上に結晶性の高いGaN膜をエピタキシャル成長可能。②Siウェハ/バッファー層/GaNの間の各界面は低抵抗なオーミック接続となる。③1,300℃近い温度まで安定である。これらはSiウェハ上にGaNを成長する際に発生する全ての問題を解決する。本技術を用いてSiウェハの裏面に電極を配置した構造のGaN系LEDが実現し、ARゴーグルやLEDディスプレイの本格的な実用化を目指す他、将来に向けてSi上の縦型GaNパワーデバイス開発の足掛かりとする。
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