SRAMを代替可能なスピン軌道トルク型MRAMの開発
| 体系的番号 |
JPMJAN25E2 |
研究代表者 |
福間 康裕 九州工業大学, 大学院情報工学研究院, 教授
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| 研究期間 (年度) |
2025 – 2028
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| 概要 | 本研究開発チームが見出したアモルファス金属の巨大スピンホール効果を利用して、垂直磁化方式のSOT-MRAMを開発する。書き込み電力の低減、セル面積の低減、アモルファス・スピンホール材料に対する安定性・信頼性の向上に取り組む。CMOS BEOLプロセスにて混載する技術を確立し、SOT-MRAMがキャッシュ用メモリとして利用可能な低消費電力不揮発性磁気メモリであることを実証する。
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| 研究領域 | 半導体 |
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