次々世代無線通信にむけた縦光学フォノン共鳴放射による高温動作テラヘルツ放射デバイスの開発

研究課題

体系的番号	JPMJTR25T2
研究責任者	石谷善博千葉大学, 大学院工学研究院, 教授
研究期間 (年度)	2025 – 2027 (予定)
概要	室温動作のレーザが未達成である『テラヘルツギャップ』とよばれる赤外線周波数域で、電子→格子振動波(フォノン)→光というフォノンを介する従来にない発光原理により、電流注入型の室温・高効率動作の発光デバイスを実現する。これにより、次世代の大容量無線通信や医・薬分野の先端的分子評価技術の進展が期待される。本開発は、現行デバイスの電子→光変換の最大の阻害要因である、電子エネルギーの縦光学(LO)フォノンへの変換をあえて活用する独自の高効率発光技術に基づく。さらに、トランジスタなどの最大の性能抑制要因であるLOフォノンを光に変えて排除して再利用する超省電力技術のパラダイムシフトへ展開する。